尖端技术突破之一：SiC单晶衬底自主技术体系中国已开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底，山东天岳公司、北京天科合达公司和河北同光晶体公司分别与山东大学、中科院物理所和中科院半导体所进行技术合作与转化...
精选中国在半导体领域十大尖端技术突破
