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小编 7 月 16 日消息，据 Sammobile 报道，三星副总裁 Younggwan Ko 最近在韩国水原举行的一次研讨会上表示，随着存储半导体变得更强大，封装技术必须与存储半导体一起发展。将 MSAP 工艺应用于其 DDR6 内存芯片将允许三星制造具有更精细电路的芯片。
另据 The Elec 报告称，三星的竞争对手已经将 MSAP 封装技术用于 DDR5 内存，而三星正在努力将这种封装技术用于 DDR6。
传统的封装方法只把要形成电路图案的区域进行涂覆，而将其他区域蚀刻掉。但在 MSAP 封装中，除了电路之外的区域都经过涂层处理，而空白区域则进行了电镀，从而可以实现更精细的电路。
小编了解到，三星于本周早些时候推出了其首款用于显卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，报道称，该公司处于 DDR6 开发的早期阶段，根据去年的一份报告，其 DDR6 设计可能会在 2024 年完成。
预计 DDR6 的速度是 DDR5 的两倍，内存通道数也是 DDR5 的两倍。DDR6（JEDEC）可以实现大约 12800Mbps 的传输速率，或支持超频到 17000Mbps。
目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高达 7200 Mbps 的传输速度，因此 DDR6 将提高 0.7 倍，超频下将提高 1.36 倍。
DDR6内存首曝：容量、性能大增
当下，DDR5内存还远未到要主流普及的程度。不过，DRAM内存芯片的头部厂商们已经着手DDR6研制了。
日前在韩国水原举办的一场研讨会上，三星测试与系统封装副总裁Younggwan Ko表示，为适配半导体存储产品的性能的增长，封装技术必须不断进步。
会上，他明确，在DDR6内存芯片的开发中，三星将使用MSAP，也就是改良型半加成工艺(Modified semi-additive process)。
资料显示，MSAP起初应用于IC载板高精密线路制作，技法是首先在附有超薄底铜的基板上贴合干膜使用正片进行图形转移，再通过图形电镀加成形成线路，最后去除干膜和底铜完成高精密布线，以实现提升PCB的高频高速性能。
和当前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要镀层。
Ko指出，DDR6的存储容量和处理速度将大幅增加，需要更多的堆叠层数，对封装技术来说既是机遇也是挑战。
另外，Ko也坦言，友商已经先于自己在DDR5颗粒上使用MSAP技术了。
事实上，虽然出货上仍旧是DRAM龙头老大，但三星在技术开发上的确出现落后，抛开上文的MSAP，1a DRAM芯片量产进度也不及SK海力士和美光。
值得一提的是，根据早先爆料，DDR6内存的频率预计在12~17GHz，问世起码还要5年时间。
三星开发出全球最小DRAM内存芯片能提升速度吗？
据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。
三星称，公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。
另据路透社报道，三星开发的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下，三星今年的营业利润有望创下纪录。
三星开发的8Gb DDR4芯片
三星称，和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
作为全球最大芯片制造商，三星表示，和2012年使用20纳米工艺生产的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。
三星称，公司希望通过扩大10纳米级DRAM芯片的生产，进一步提升整体竞争力。三星还表示，公司将使用新工艺为客户生产更多优质产品，利用最新技术进步，深挖服务器、移动和图形芯片市场。三星将在2018年把现有多数DRAM芯片产能转移到10纳米级芯片上。
三星在10月底为半导体部门等三大主要业务任命了新一代负责人。三星称，公司并不寻求立即扩大芯片出货量，但会投资维持长期市场地位。
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