三个电极的晶体管是晶体三极管。
晶体三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
什么是三极管的三个极，有什么用？
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。
MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。
MOS管和三极管截止区：
NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。
MOS管饱和区的介绍：
NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区。
NPN三极管在集电极电压比较高时，也会几乎全部收集到从发射极过来的电子，电压再升高也没有办法收集到更多，也是它的饱和区。
晶体三级管的，三个电极分别是什么？
晶体三级管的三个电极为：集电极c、发射极e、基极b。
晶体三极管（以下简称三极管）在电路板中用字母“Q”表示，不同的三极管用“Q+数字”区分。三极管的内部含有两个PN结，分为PNP及NPN两种类型，一般配对使用，因为两者具有互补作用。
三极管放大电路有三种，分别为：共基极电路、共射极电路、共集级电路。讯号放大一般都采用共射极电路，是由于放大电流及电压增益相比其他两个要大。三极管的放大作用是一个电流控制组件决定，而集极电流IC是可以由基极电流IB控制的，所以通过改变细微的基极电流IB就能够让集极电流IC产生很大的变化。
注：发射区与基区两者之间的PN结叫发射结；集电区与基区之间的PN结叫集电结。
晶体管是不是就是三极管
晶体管包括三极管。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管有时多指晶体三极管。
晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。
晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
扩展资料
三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别是由N型、P型半导体组成的发射极、基极和集电极；场效应晶体管的三个极，分别是源极、栅极（Gate，门极）和漏极（Drain）。
晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
由于晶体管响应速度快，准确性高，可用于各种各样的数字和模拟功能。包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
参考资料来源：百度百科-晶体管
什么是三极管？
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter, E）、基极（base, B）和集电极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中 性的p型区和n型区隔开。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。 EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基 极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。 三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时， 会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入 射极的电子流InB E（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB E在射极与电 洞复合，即InB E=IErec。
射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。
晶体管的三个极
①晶体管三个极分别为：
基极B
发射极E
集电极C
②双极型晶体管物理结构如下：
晶体管又根据结构特点分为NPN和PNP型。
③晶体管的工作状态
下表总结了晶体管的工作状态和三个极的电压关系：
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