砷化镓是立方晶系闪锌矿型结晶结构。
闪锌矿型结构，又称立方硫化锌型结构。属立方晶系，为面心立方点阵。属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积，A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A、B原子间为共价键联系。
砷化镓是什么晶体类型
属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。 砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
主要用途
用于制造光电器件（LCD），激光器（LD），场效应晶体管（FET），高电子迁移率晶体管（HEMT），异质结双极晶体管（HBT），高速器件和微波单片集成电路（MMIC），微波／毫米波集成电路（MIMIC），高速集成电路，太阳电池。
砷简介砷，俗称砒，是一种非金属元素，在化学元素周期表中位于第4周期、第VA族，原子序数33，元素符号As，单质以灰砷、黑砷和黄砷这三种同素异形体的形式存在。砷元素广泛的存在于自然界，共有数百种的砷矿物是已被发现。砷与其化合物被运用在农药、除草剂、杀虫剂，与许多种的合金中。 在古代，三氧化二砷被称为砒霜，但是少量的砷对身体有益。
砷化镓是什么晶体结构
属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。
砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。
扩展资料砷化镓(GaAs)是一种很容易被人们提起的半导体材料，它与整个半导体产业密切关联，而这也是我国产业结构中最为薄弱的环节。随着5G的逐步到来，整个社会将进入万物互联的新阶段，半导体相关芯片、器件需求量将进一步爆发，将成为像基础能源一般的存在。
由于GaAs具有高频、低杂讯与低耗电等优良特性，能够应用在高频IC与光电材料上，手机、WLAN、光纤通讯、卫星通讯与太阳能电池均是其适用的领域，其中手机与无线通讯应用是其中占比较高的市场。
参考资料来源：百度百科-砷化镓
砷化镓是原子晶体吗
因为原子晶体构成原子晶体的微粒是原子，而砷化镓中含有砷原子和镓原子，微粒间的作用力是共价键，则其晶体熔点和沸点的高低则由共价键的的键长和键能决定。所以砷化镓是原子晶体。
原子晶体是指相邻原子之间只通过强烈的共价键结合而成的空间网状结构的晶体。
在原子晶体这类晶体中，晶格上的质点是原子，而原子间是通过共价键结合在一起，这种晶体称为原子晶体。
砷化镓是金属材料吗
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，禁带宽度1.4电子伏。
砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
gaas是什么晶体
是晶态化合物半导体。砷化镓，化学式GaAs，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是半导体材料中兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
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